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Si4214DDY-T1-E3
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
40
10
32
24
16
8
V GS = 10 V thru 4 V
V GS = 3 V
8
6
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.030
0.026
0.022
0.01 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
1000
8 00
600
400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.014
V GS = 10 V
200
C oss
C rss
0.010
0
0
10
20
30
40
50
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 8 A
8
V DS = 10 V
6
1. 8
1.6
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 8 A
V GS = 10 V
4
2
0
V DS = 20 V
V DS = 15 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V
0.0
3.2
6.4
9.6
12. 8
16
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 67907
S11-0653-Rev. A, 11-Apr-11
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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